特許
J-GLOBAL ID：200903074841328719
炭素薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217436
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059760
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリングにより特性の良好な炭素薄膜を得る方法を提供すること。【解決手段】 RFスパッタリング法において、ターゲット4としてグラファイトとダイヤモンドを混合したものを用いる。
請求項（抜粋）：
スパッタリングにより炭素薄膜を製造する方法において、グラファイトにダイヤモンドを混合してターゲットとなし、高周波放電によりプラズマを生成することを特徴とする、炭素薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C23C 14/06
, C01B 31/02 101
, C23C 14/34
, C30B 29/04
C23C 14/06 F
, C01B 31/02 101 Z
, C23C 14/34 A
, C30B 29/04 M
, C30B 29/04 D
