特許
J-GLOBAL ID：200903074841598147

端面発光型発光素子

発明者：
成川 幸男

成川 幸男 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-204586
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026388
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 光ファイバ通信用あるいは電子写真用の光源あるいはバーチャル・リアリティーなどに用いられる微少光源として、スポットサイズが小さく、且つ均一な光が得られる端面発光型発光ダイオードを提供する。【解決手段】n型窒化物半導体層またはp型窒化物半導体層の少なくとも一方が、Alを含む窒化物半導体からなるクラッド層をさらに有し、前記クラッド層の膜厚を50nm以下とする。また、本発明の発光素子は、前記半導体層の総膜厚を5μm以下とする。また、本発明の発光素子は、前記n型窒化物半導体層またはp型窒化物半導体層の少なくともは少なくともGaN層を有する。また、本発明の発光素子は、前記n型窒化物半導体層は、3μm以下のn型GaN層を含む。また、本発明の発光素子は、前記基板は基板上に接して形成された半導体層より屈折率が0.2以上小さい基板を用いる。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、発光層およびp型窒化物半導体層を有する半導体層からなる端面発光型発光素子において、前記n型窒化物半導体層またはp型窒化物半導体層の少なくとも一方が、Alを含む窒化物半導体からなるクラッド層をさらに有し、前記クラッド層の膜厚が50nm以下であることを特徴とする端面発光型発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 F
Fターム (33件)：
5F004BA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DB19 ,  5F004EB08 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041FF13 ,  5F041FF14 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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