特許
J-GLOBAL ID：200903074847658257
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314225
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152310
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 炉容器の変形を防止した半導体製造装置を提供する。【構成】 側壁117に沿って加熱器118が配置され且つ下端開口106から被処理物を出入するようにした釣鐘状の炉容器105が、頂部に突出させた被支持部109を筐体102に設けられた支持部112に支持されるようにして筐体102内に収納される構成となっており、炉容器105の上部の荷重は被支持部109が筐体102に設けられた支持部112に支持されているために側壁117に加わることがない。このため炉容器105内に被処理物を収納して加熱器118によって加熱し高温度状態にしても炉容器105の変形が防止され、これによって炉内の当初の処理条件が維持できて均一なプロセスが実行でき、炉容器の寿命が長くなる。
請求項（抜粋）：
底面部に開口を有する筐体と、この筐体内に収納され前記開口上に下端開口を覆うように載置し且つ該下端開口から被処理物を出入するようにした釣鐘状の炉容器と、この炉容器の側壁に沿って配置された加熱器と、前記炉容器の頂部に突出させて設けた被支持部と、この被支持部を支持することによって前記炉容器の上部を固定する前記筐体に設けられた支持部とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/324
, C30B 25/08
, H01L 21/205
, H01L 21/22
, H01L 21/31
