特許

J-GLOBAL ID：200903074848079269

単結晶シリコン領域と多結晶シリコン構造体を有する半導体装置および単結晶シリコン領域と多結晶シリコン構造体との間のコンタクトを生成する方法

発明者： マーティン シュレムス ,  カイ ヴルスター ,  クラウス-ディーター モルハルト ,  ヨアヒム ヘプフナー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046614
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284150
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 単結晶シリコン領域と多結晶シリコン構造体との間のコンタクトを僅かな接触抵抗しかもたないようにして形成し、その際、単結晶シリコンにおける転位の発生ないしは広まりを回避する。【解決手段】 多結晶シリコン構造体と単結晶シリコン領域2,20の間のコンタクトを生成するため、アモルファスまたは多結晶のシリコン構造体および/または単結晶シリコン領域がドーパントたとえば酸素により、固溶限を超えるドーピング濃度でドーピングされる。そして後続の熱処理によってドーパント析出物が形成され、これによって多結晶シリコン層4,16における結晶粒成長が制御され、または単結晶シリコン領域において結晶欠陥が基板中へ伝播するのが阻止される。この種のコンタクトはたとえば埋め込みストラップとしてDRAMトレンチセルにおいて用いられる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン領域(2,20)およびそれとじかに続く多結晶シリコン構造体(4,16)を有する半導体装置において、前記の単結晶シリコン領域(2,20)と多結晶シリコン構造体(4,16)は導電性であり、前記の単結晶シリコン領域(2,20)および/または多結晶シリコン構造体(4,16)は、酸素を含有するドーパントのドーパント析出物(6,18)を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/265 J