特許
J-GLOBAL ID：200903074851942520
スパッタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240909
公開番号（公開出願番号）：特開平5-209265
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】特性の良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。【構成】直流及び高周波スパッタリング装置で、プラズマをカソードであるターゲット103とアノードであるメッシュ電極104の間で発生させ、スパッタされた中性原子及び中性分子のみを基板102上に堆積する。【効果】ターゲットと被堆積基板の間にメッシュ状の電極を設け、前記ターゲットと前記メッシュ電極をそれぞれカソード、アノードとすることによりプラズマを前記ターゲットと前記メッシュ電極の間に閉じこめ、被堆積基板へのイオン及び電子の衝撃を無くし、形成膜中への雰囲気ガスの取り込み量を減らしたり、イオンまたは電子の衝撃による膜特性の劣化を防ぐことが出来る
請求項（抜粋）：
カソードがスパッタリングターゲットからなり、対向電極としてアノードを有するスパッタリング装置に於て、前記アノードをメッシュ電極とし、前記メッシュ電極に対して、前記カソードと反対側に被堆積基板を配置することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (2件)：
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