特許

J-GLOBAL ID：200903074853183937

AlGalnP系発光素子およびその製造方法

発明者： 柴田 憲治 ,  今野 泰一郎 ,  金田 直樹 ,  柴田 真佐知 ,  野口 雅弘
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202759
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026383
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 活性層の応力の発生と酸化によるウィンドウ層の劣化を防止して信頼性の高いAlGalnP系発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上にMOVPE法によって活性層4およびウィンドウ層6を含むエピタキシャル層を成長させる際に、ウィンドウ層6は、5×1018cm-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、活性層4よりバンドギャップの大きいAlGalnP層により構成する。ウィンドウ層6にAl組成が少なく、かつ、GaAs基板1と完全に格子整合するAlGalnP層を用いることにより、格子定数の不整合による活性層4の応力の発生と酸化によるウィンドウ層6の劣化を防止でき、ウィンドウ層6が5×1018cm-3以上のキャリア濃度を有することにより、ウィンドウ層6の必要条件である低電気抵抗という条件を満足することができる。

請求項（抜粋）：

n型導電性を有する基板上に、少なくともAlGalnP系化合物半導体からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さい組成のAlGalnP系化合物半導体からなる活性層と、前記活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい組成のp型AlGalnP系化合物半導体からなるp型クラッド層と、前記p型クラッド層上にp型ウィンドウ層を積層した構造のAlGalnP系発光素子において、前記p型ウィンドウ層は、5×1018cm-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、前記活性層よりバンドギャップの大きいAlGalnP層であることを特徴とするAlGalnP系発光素子。

Fターム (10件)：

5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F041FF01