特許

J-GLOBAL ID：200903074856230758

有機EL素子の製造装置および製造方法

発明者： 荒井 三千男 ,  山本 洋 ,  田辺 宏
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157489
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335062
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 比較的大きな面積の基板に対応し、膜厚分布の変動が少なく、有機EL素子を効率よく量産することのできる有機EL素子の製造装置および製造方法を実現する。【解決手段】 有機EL素子が形成される基板2と、蒸発源4とを有し、前記蒸発源4の開口部上の中心で開口部よりL0 の距離における蒸気密度m0 に対する開口部の中心線からの放射角θで開口部より距離L離れた任意の位置での蒸気密度mの比m/m0 ∝(L0 /L)2 ・cosnθで近似したときの値であるn値が、3〜6であって、前記基板2に対する蒸発源4の位置を、基板2の中央C/Lに対して、基板2の中央C/Lから基板2の端部までの距離の1.0〜1.4倍の位置に配置し、前記蒸発源4の開口部から基板2までの垂直距離が、基板2の中央から端部までの距離の1.5〜3.5倍である有機EL素子の製造装置とし、この装置を用いて成膜することとした。

請求項（抜粋）：

有機EL素子が形成される基板と、蒸発源とを有し、前記蒸発源の開口部上の中心で開口部よりL0 の距離における蒸気密度m0 に対する開口部の中心線からの放射角θで開口部より距離L離れた任意の位置での蒸気密度mの比m/m0 ∝(L0 /L)2 ・cosnθで近似したときの値であるn値が、3〜6であって、前記基板に対する蒸発源の位置を、基板の中央に対して、基板の中央から基板の端部までの距離の1.0〜1.4倍の位置に配置し、前記蒸発源の開口部から基板までの垂直距離が、基板の中央から端部までの距離の1.5〜3.5倍である有機EL素子の製造装置。

IPC (2件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/24

FI (2件)：

H05B 33/10 ,  C23C 14/24 R