特許

J-GLOBAL ID：200903074863108712

硫酸チタン(III)の製造方法

発明者： 山下 智司 ,  増子 昇
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166810
公開番号（公開出願番号）：特開2000-351622
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 電解還元により高純度硫酸チタン(III)を製造する方法を提供する。【解決手段】 バイポーラ膜により陽極室と陰極室とに分けられた電解槽の陰極室に、例えば硫酸チタン(IV)の希硫酸溶液を供給し、該溶液を電解還元して硫酸チタン(III)を製造する。

請求項（抜粋）：

バイポーラ膜により陽極室と陰極室とに分けられた電解槽の陰極室に導入された硫酸チタン(IV)の水溶液を電解還元することを特徴とする硫酸チタン(III)の製造方法。

IPC (3件)：

C01G 23/00 ,  C25B 1/00 ,  C25B 13/00

FI (3件)：

C01G 23/00 A ,  C25B 13/00 ,  C25B 1/00 Z

Fターム (9件)：

4G047CA04 ,  4G047CB05 ,  4G047CC03 ,  4G047CD03 ,  4K021AB25 ,  4K021BA04 ,  4K021BB02 ,  4K021DB38 ,  4K021DB40