特許

J-GLOBAL ID：200903074864196771

微細溝内薄膜形成方法

発明者： 鈴木 泰雄 ,  渡邉 正則
出願人/特許権者： 渡邉 正則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-186528
公開番号（公開出願番号）：特開2005-023332
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】微細溝や微細穴を有する被加工基材に所定元素を含む薄膜及び/又は所定元素を含む化合物薄膜を均一で密着性よく形成する方法を提供する。【解決手段】真空排気した容器内に所定の元素を含むガスを導入して放電プラズマを発生させ、該放電プラズマに微細溝を有する被加工基材を接触させ、該被加工基材に放電プラズマ電位に対して正負一対のパルス電圧を繰り返し印加することによって、微細溝や微細穴内壁面に所定元素を含む薄膜及び/又は所定元素を含む化合物薄膜を均一で密着性よく形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空排気した容器内に所定の元素を含むガスを導入して放電プラズマを発生させ、該放電プラズマに微細溝を有する被加工基材を接触させ、該被加工基材に放電プラズマ電位に対して正負一対のパルス電圧を繰り返し印加することによって所定元素を含む薄膜及び/又は所定元素を含む化合物薄膜を形成することを特徴とする微細溝内薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C16/452 ,  B81C1/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/50

FI (4件)：

C23C16/452 ,  B81C1/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/50

Fターム (10件)：

4K030AA04 ,  4K030AA07 ,  4K030AA08 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA49 ,  4K030BA51 ,  4K030FA01 ,  4K030JA17 ,  4K030JA18