特許

J-GLOBAL ID：200903074867580556

電子放出素子の製造方法、該電子放出素子を用いた電子源および画像形成装置

発明者： 西村 三千代
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-091251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285801
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 炭素材料を電子放出部として使用して、電子放出特性の優れた電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に、対向する一対のエミッタ電極とゲート電極とを備え、該エミッタ電極とゲート電極が、炭素もしくは炭素化合物からなる導電性膜2,3に形成されたスリットにより構成された電子放出素子の製造方法において、導電性の探針7を具備し、該探針7および導電性膜2,3間に電位を与えて、探針7を走査させ、導電性膜2,3の一部を消失してスリット(電子放出部6)を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、対向する一対のエミッタ電極とゲート電極とを備え、該エミッタ電極とゲート電極が、炭素もしくは炭素化合物からなる導電性膜に形成されたスリットにより構成された電子放出素子の製造方法において、導電性の探針を前記導電性膜に対向配置し、該探針と該導電性膜との間に電位を与えて、前記探針を走査させ、前記導電性膜の一部を消失して前記スリットを形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/304 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C

Fターム (6件)：

5C031DD09 ,  5C031DD19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12