特許

J-GLOBAL ID：200903074868207425

透過電子顕微鏡試料の作製方法

発明者： 菅原 裕彦 ,  深井 佳乃 ,  君塚 正勝
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-170838
公開番号（公開出願番号）：特開平10-019746
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜等の薄膜の剥離に起因する試料損傷を未然に防ぐことが可能で、試料作製の歩留まりの高い透過電子顕微鏡試料の製作方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に薄膜を積層した構造を有する試料片より切断領域を切断して観察領域を含む部分を切り出した後、薄片化して透過電子顕微鏡試料を作製する方法であって、試料片より観察領域を含む部分を切り出す前の段階において、試料片の切断領域、もしくは切断領域と観察領域との間に、基板に衝撃を与えない加工方法によって、所定幅で、深さが基板に達する連続した溝を、観察領域を囲むように1列もしくは複数列形成した後、切断領域を切断する透過電子顕微鏡試料の作製方法とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に薄膜を積層した構造を有する試料片より切断領域を切断して観察領域を含む部分を切り出した後、薄片化して透過電子顕微鏡試料を作製する方法であって、上記試料片より観察領域を含む部分を切り出す前の段階において、上記試料片の切断領域、もしくは切断領域と観察領域との間に、上記基板に衝撃を与えない加工方法によって、所定幅で、深さが上記基板に達する連続した溝を、上記観察領域を囲むように1列もしくは複数列形成した後、上記切断領域を切断することを特徴とする透過電子顕微鏡試料の作製方法。

IPC (3件)：

G01N 1/28 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/26

FI (4件)：

G01N 1/28 G ,  H01J 37/20 F ,  H01J 37/26 ,  G01N 1/28 F