半導体露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077107
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】ペリクル付レチクルのペリクル透過率を計測し、計測した透過率の変化量に従って露光量に補正を加え、透過率変化によるフォトレジストの寸法変化を防ぐ。また、異常な透過率のレチクル使用を制限する。【構成】ウェーハステージ18上にに設けた照度センサー2により、ペリクル付レチクルにおけるペリクル透過率測定領域の透過照度とレチクル透過率測定領域の透過照度を計測し、ペリクル透過率を演算し、透過率の減少分を露光量の増分として補正することにより、ペリクル透過率が変化した時のフォトレジスト寸法の変化を防ぐ。また、半導体露光装置自体がペリクル透過率測定機能を持つため作業性が大幅に向上する。

請求項（抜粋）：

ペリクル付レチクルを用いた半導体露光装置において、レチクル透過率測定領域とペリクル透過率測定領域とを備えるペリクル付レチクルを使用し、ウェーハ露光ステージ上に設けられた照度センサーによりペリクル付レチクルのペリクル透過率を計測する手段と、計測した透過率データにより露光量を補正する手段と、同じく計測した透過率データによりペリクルの異常を検知しウェーハ露光処理を中止させる手段とを備えることを特徴とする半導体露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 301 G , H01L 21/30 311 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-274131
特開昭61-216324

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