特許
J-GLOBAL ID:200903074871785421

水酸基が保護されたフェノール性化合物の精製方法、及びこれを用いた感放射線組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-188471
公開番号(公開出願番号):特開2000-026348
出願日: 1998年07月03日
公開日(公表日): 2000年01月25日
要約:
【要約】【課題】 安価にかつ、純度よく水酸基が保護されたフェノール性化合物を製造するとともに、高感度化され、長期保存安定性能も良好な半導体集積回路作成用レジスト材料を得る。【解決手段】 酸触媒、及び水溶性溶媒の存在下でフェノール性化合物とエノールエーテルを反応させることにより得られた水酸基が保護されたフェノール性化合物を、反応終了後、塩基添加によって反応を停止させた後、反応液をアルコールで希釈して水に投入することによって水酸基が保護されたフェノール性化合物を精製する方法、及びこれを用いて感放射線組成物を調製する。
請求項(抜粋):
酸触媒、及び水溶性溶媒の存在下でフェノール性化合物とエノールエーテルを反応させることにより得られた水酸基が保護されたフェノール性化合物を、反応終了後、塩基添加によって反応を停止させた後、反応液をアルコールで希釈して水に投入することを特徴とする水酸基が保護されたフェノール性化合物の精製方法。
IPC (6件):
C07C 39/15 ,  C07C 37/72 ,  C07C 37/84 ,  C07C 39/16 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601
FI (6件):
C07C 39/15 ,  C07C 37/72 ,  C07C 37/84 ,  C07C 39/16 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601
Fターム (27件):
2H025AA01 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB17 ,  2H025CB29 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025FA12 ,  4H006AA02 ,  4H006AC23 ,  4H006AD16 ,  4H006BA66 ,  4H006BB14 ,  4H006BB25 ,  4H006BB31 ,  4H006BB47 ,  4H006BC33 ,  4H006BE10 ,  4H006BE12 ,  4H006BE14 ,  4H006FC52 ,  4H006FE13

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