ドライエッチング方法及びEL素子の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-305079
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326298
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 ZnSのようにZnを含む被エッチング部材を、大きなエッチングレートで容易にエッチングできるようにする。【解決手段】 ZnSを母体材料とする2つの発光層を積層形成してなるEL素子の製造方法において、第1発光層4を形成した後、第2発光層を形成するための層15を形成し、その上にポジ型のレジストをパターニング形成する(図5(a))。この後、CH4 (メタン)ガスとAr(アルゴン)ガスの混合ガスを用い、CH4 ガスによる化学的エッチングとArガスによる物理的エッチングにて第2発光層を形成するための層15をエッチングし、図5(b)に示すように、パターニングされた第2発光層5を得る。

請求項（抜粋）：

亜鉛を含む被エッチング部材をドライエッチングするドライエッチング方法において、前記被エッチング部材の上にレジストをパターニング形成する工程と、この後、メタンガスと不活性ガスの混合ガスであって、前記メタンガスと前記不活性ガスの合計に対する前記メタンガスの比率が0.5%以上5%以下となるエッチングガスを用いて前記被エッチング部材をエッチングする工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (5件)：

H05B 33/10 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/461 , H05B 33/14

FI (5件)：

H05B 33/10 , C23F 4/00 E , H01L 21/461 , H05B 33/14 , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-184830
電子写真用の光導電体及び像形成部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055369 出願人：ゼロックスコーポレイション
特開平3-139838

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