特許

J-GLOBAL ID：200903074875622004

ポリシリコンの平坦化方法およびその方法から得られるポリシリコンからなる薄膜トランジスタ

発明者： 陳 ▲ゆう▼丞 ,  林 家興 ,  陳 麒麟
出願人/特許権者： 財団法人工業技術研究院
代理人 (4件)： 朝日奈 宗太 ,  佐木 啓二 ,  秋山 文男 ,  田中 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-181382
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111912
出願日： 2003年06月25日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】本発明は、大面積のポリシリコン表面に応用出来る、ポリシリコンの平坦化方法および該方法により得られたポリシリコンからなる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板の表面にポリシリコンを形成する工程、エッチングにより表面粗さを減少させる工程、および該ポリシリコン表面をレーザーアニールにより平坦化する工程からなるポリシリコンの平坦化方法である。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板の表面にポリシリコンを形成する工程、エッチングにより表面粗さを減少させる工程、および該ポリシリコン表面をレーザーアニールにより平坦化する工程からなるポリシリコンの平坦化方法。

IPC (4件)：

H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618D ,  H01L21/306 B

Fターム (35件)：

5F043AA10 ,  5F043BB03 ,  5F043DD12 ,  5F043FF07 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA01 ,  5F052DB01 ,  5F052EA15 ,  5F052FA19 ,  5F052HA03 ,  5F052JA01 ,  5F110AA18 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB07 ,  5F110BB10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG44 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP31 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ19