特許
J-GLOBAL ID:200903074875625267
二次電子放出膜の製造方法及び二次電子放出膜
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 勝広 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-327152
公開番号(公開出願番号):特開2000-156153
出願日: 1998年11月17日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】 比較的低温度の膜形成でも優れた二次電子放出性を示し、大面積の塗布形成が可能であり、量産性・コスト面で優れた二次電子放出膜とその形成方法を提供すること。【解決手段】 マグネシウム化合物微粒子含有液を基板上に塗布し、この塗布膜に活性エネルギー線を照射することを特徴とする二次電子放出膜の製造方法、及び該方法によって得られる二次電子放出膜。
請求項(抜粋):
マグネシウム化合物微粒子含有液を基板上に塗布し、この塗布膜に活性エネルギー線を照射することを特徴とする二次電子放出膜の製造方法。
IPC (5件):
H01J 9/12
, H01J 1/32
, H01J 11/00
, H01J 11/02
, H01J 43/10
FI (5件):
H01J 9/12 Z
, H01J 1/32 B
, H01J 11/00 K
, H01J 11/02 B
, H01J 43/10
Fターム (15件):
5C040FA01
, 5C040FA04
, 5C040GB03
, 5C040GB14
, 5C040GE07
, 5C040GE09
, 5C040JA01
, 5C040JA02
, 5C040JA28
, 5C040KB19
, 5C040KB22
, 5C040LA17
, 5C040MA12
, 5C040MA17
, 5C040MA25
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