特許
J-GLOBAL ID:200903074875625267

二次電子放出膜の製造方法及び二次電子放出膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 勝広 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-327152
公開番号(公開出願番号):特開2000-156153
出願日: 1998年11月17日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】 比較的低温度の膜形成でも優れた二次電子放出性を示し、大面積の塗布形成が可能であり、量産性・コスト面で優れた二次電子放出膜とその形成方法を提供すること。【解決手段】 マグネシウム化合物微粒子含有液を基板上に塗布し、この塗布膜に活性エネルギー線を照射することを特徴とする二次電子放出膜の製造方法、及び該方法によって得られる二次電子放出膜。
請求項(抜粋):
マグネシウム化合物微粒子含有液を基板上に塗布し、この塗布膜に活性エネルギー線を照射することを特徴とする二次電子放出膜の製造方法。
IPC (5件):
H01J 9/12 ,  H01J 1/32 ,  H01J 11/00 ,  H01J 11/02 ,  H01J 43/10
FI (5件):
H01J 9/12 Z ,  H01J 1/32 B ,  H01J 11/00 K ,  H01J 11/02 B ,  H01J 43/10
Fターム (15件):
5C040FA01 ,  5C040FA04 ,  5C040GB03 ,  5C040GB14 ,  5C040GE07 ,  5C040GE09 ,  5C040JA01 ,  5C040JA02 ,  5C040JA28 ,  5C040KB19 ,  5C040KB22 ,  5C040LA17 ,  5C040MA12 ,  5C040MA17 ,  5C040MA25

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