特許

J-GLOBAL ID：200903074876971177

磁気抵抗薄膜及びその製造方法

発明者： 杉本 学
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239901
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064724
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 Ni、Fe等の遷移金属不純物はSi単結晶中で深い準位を形成し、電子デバイス自身の特性を劣化させるため、Si基板上に単に合金薄膜を形成する方法により磁性デバイスを形成したとしても、該磁性デバイスと電子デバイスとを共存させることが実際上は困難であった。【解決手段】 Siウエハ11上に形成される磁気抵抗薄膜20であって、遷移金属元素を含み3価の元素がドーピングされたSi層22と、5価の元素がドーピングされたSi層23とが交互に並列的に配置されている磁気抵抗薄膜20を形成する。

請求項（抜粋）：

Siウエハ上に形成される磁気抵抗薄膜であって、遷移金属元素を含み3価の元素がドーピングされたSi層と、5価の元素がドーピングされたSi層とが交互に並列的に配置されていることを特徴とする磁気抵抗薄膜。

IPC (5件)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 S ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12