特許

J-GLOBAL ID：200903074878686526

結晶性半導体薄膜形成方法

発明者： 斎藤 公彦 ,  石黒 信行 ,  芦田 芳徳
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084652
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297138
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【構成】 基板上に、シリコン原子を含む化合物のプラズマ分解により半導体薄膜を形成した後、その半導体薄膜をハロゲン原子を含んだ化合物のプラズマにより表面処理を行い、さらに続いて水素ガスのプラズマにより表面処理を施す工程を繰り返し行うことにより所定の膜厚を形成することを特徴とする結晶性半導体薄膜形成方法。【効果】 本方法を用いて作製した結晶性半導体薄膜は、極めて良好な結晶性、光電特性を有し、即ち、従来技術で成膜された結晶性半導体薄膜に比べ、きわめて信頼性の高い薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に、シリコン原子を含む化合物のプラズマ分解により半導体薄膜を形成した後、その半導体薄膜をハロゲン原子を含んだ化合物のプラズマにより表面処理を行い、さらに続いて水素ガスのプラズマにより表面処理を施す工程を繰り返し行うことにより所定の膜厚を形成することを特徴とする結晶性半導体薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/22 ,  H01L 31/04