特許

J-GLOBAL ID：200903074886828895

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者： 山田 孝夫 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056046
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256661
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【目的】 ウエーハの基板を薄くしたときに生じる反り及び反りに伴うウェーハの不規則な位置での割れを防止し、反りのない薄板化された基板を作製することにより、放熱性を良好にし、しきい値の上昇を抑え、寿命特性が良好となる窒化物半導体素子及びその製造方法を提供することである。【構成】 膜厚0.5μm以下のバッファ層2を介して総膜厚6μm以上の複数の窒化物半導体層を有する窒化物半導体を成長させ,成長させた窒化物半導体の一部を絶縁性基板まで取り除いた後、絶縁性基板の厚さを60μm以下に調整してウェーハをチップ状に分離する。

請求項（抜粋）：

厚さ60μm以下の絶縁性基板上に、少なくとも膜厚0.5μm以下のバッファ層と、総膜厚6μm以上の窒化物半導体層とからなる窒化物半導体を有し、該窒化物半導体の一部を絶縁性基板まで取り除いてなることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A