特許

J-GLOBAL ID：200903074889882467

絶縁膜の形成方法及び絶縁膜形成装置

発明者： 向井 裕二 ,  小寺 宏一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172501
公開番号（公開出願番号）：特開平5-019296
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 高品質で膜厚均一性に優れた絶縁膜を、低温で形成する。また、液晶ディスプレー用非線形抵抗素子の絶縁膜不良を解消し、さらに温度補償回路の不要なディスプレーを得る。【構成】 真空容器内に、接地電極18と高周波電力を印加する電極19を、対向して設けた構成とする。高周波電力を印加する電極19に絶縁膜を形成する基板20を配置し、対向した電極間に酸素または窒素を含むガスを供給して高周波放電を発生することにより、基板20の表面に絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空容器内に配置した接地電極と高周波電力を印加する電極からなる対向電極を有し、前記高周波電力を印加する電極に絶縁膜を形成する基板を配置し、前記対向電極間に酸素または窒素を含むガスを供給し、高周波放電を発生することによって前記基板表面に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/12