特許

J-GLOBAL ID：200903074891258177

半導体装置およびその製造方法

発明者： 曽祢 修次
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-222182
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043418
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】溝配線あるいは配線層間のコンタクト孔においてCu拡散を完全に防止できるバリアメタル層を形成する。【解決手段】層間絶縁膜(第3層間絶縁膜5)に設けたコンタクト孔(ヴィアホール6)を充填する導電体材(コンタクトプラグ9)で電気接続する下層配線(溝配線3)と上層配線とを有する多層配線構造において、前記コンタクト孔内であって前記下層配線と前記導電体材との間に塊状の多結晶構造を有するバリアメタル層8を形成する。ここで、上記塊状の多結晶構造のバリアメタル層は、TaNx膜、TiNx膜等で構成され、TaNx膜の場合には、膜中の窒素濃度は10at.%〜50at.%の範囲に設定される。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜に設けたコンタクト孔を充填する導電体材で電気接続する下層配線と上層配線とを有する多層配線構造において、前記コンタクト孔内であって前記下層配線あるいは上層配線と前記導電体材との間に塊状の多結晶構造を有するバリアメタル層が介在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 R

Fターム (31件)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033WW01