特許

J-GLOBAL ID：200903074894349327

ウォームキャリア赤外線検出素子及び該素子の製造方法

発明者： 篠塚 典之
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 高野 明近 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042973
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237906
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 素子性能の向上の為のより小さな接触半径が得られる素子構造をもつウォームキャリア赤外線検出素子及び該素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板1上に酸化膜2を成膜;(A)し、酸化膜2の点電極形成位置に穴を開け、異方性エッチングにより逆錐状の転写用加工穴を形成した後、加工穴及びアンテナ部3cを含む線状部3を一体に導電性材料により転写形成;(B)して、錐状部の先端を針状とする。線状部3の成層時、高温で下層,低温で上層を作成し上から下に曲げ変形が生じるようなストレスを与える。点電極3b周辺の酸化膜を除去;(C)し、カンチレバー部3aを構成する。半導体基板をエッチング除去;(D)し、カンチレバーのストレスによる変形により半導体基板1と点電極3bが図の実線の位置を占め、3b-1で点接触する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と該半導体基板の一方に面電極を、他方に点接触電極と該点接触電極につながるアンテナ部を有するウォームキャリア赤外線検出素子において、前記点接触電極は、前記アンテナ部を構成する部材自体の弾性により接触が保たれるようにしたことを特徴とするウォームキャリア赤外線検出素子。

IPC (3件)：

H01L 31/00 ,  H01L 31/08 ,  H01Q 23/00

FI (3件)：

H01L 31/00 B ,  H01Q 23/00 ,  H01L 31/08 Z