特許
J-GLOBAL ID：200903074900092279
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-213703
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089874
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗のコバルト薄膜又は、段差被覆性の良いコバルトシリサイド膜を得る。【構成】 コバルトをその一構成元素として含む有機化合物101を石英ボート102上で300°Cに加熱し昇華させ、基板105表面で水素,NH3、あるいはシラン系のガスと反応させることによりコバルト膜を該基板上に形成する。得られたコバルト膜は、10μΩcmを下回る抵抗率を有している。
請求項（抜粋）：
昇華工程と、気体反応工程とを有し、化学気相成長法によって基板上に高融点金属薄膜を形成する半導体装置の製造方法であって、昇華工程は、コバルトをその一構成元素として含む有機化合物を昇華させる工程であり、気体反応工程は、昇華工程で発生させた有機化合物の昇華ガスを基板表面上で水素,NH3、あるいはシリコンを一構成元素とする気体と反応させて基板上に高融点金属薄膜を形成する工程であり、形成される高融点金属薄膜は、コバルト膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/205
