特許
J-GLOBAL ID：200903074901609070
スパツタリング用ターゲツトの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220565
公開番号（公開出願番号）：特開平5-098433
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：
【要約】【構成】 本願のスパッタリング用ターゲットの製造方法は、Co,Cr,Ptもしくはこれらを2種以上含む合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融し、溶融状態または凝固状態の前記金属もしくは合金を不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において粉体化し、これらの粉体を用いて成分比がCr5〜20重量%、Pt10〜55重量%、残部がCoからなる金属粉、または金属と合金の混合粉、もしくは合金粉を作成し、該粉体を熱間静水圧プレス(HIP)を用いて成型・焼結した後に、圧延することを特徴とする。【効果】 極めて高純度かつ均一性に優れたCo-Cr-Pt系ターゲットを作成することができる。したがって、薄膜ハードディスクの品質及び歩留まりを格段に向上させることができる。
請求項（抜粋）：
Co,Cr,Ptそれぞれを不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において加熱溶融し、溶融状態または凝固状態の前記Co,Cr,Ptそれぞれを不活性または還元性のいずれかの雰囲気中において粉体化し、これらの粉体を用いて成分比がCr5〜20重量%、Pt10〜55重量%、残部がCoからなる混合物を作成し、該混合物を熱間静水圧プレス(HIP)を用いて成型・焼結した後に、圧延することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, B22F 3/14
, B22F 3/24
, C22C 1/04
