半導体製造装置用チャンバー部材

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116638
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308011
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】ハロゲン系ガスのプラズマに対して曝露され、高電界が印加される100°C以上の温度環境下で用いられる半導体製造装置用チャンバー部材であって、こうした条件下でパーティクルの発生を少なくし、体積抵抗率を高くし、かつ比誘電率も高くする。【解決手段】チャンバー部材は、200°Cの温度と高電界下における体積抵抗率が1×10+6Ω・cm以上であり、200°Cにおける比誘電率が20以上であり、ジルコニアを主結晶相として含有しており、かつ希土類元素から選ばれた一種以上の金属の酸化物からなる添加剤を含有する酸化物セラミックスからなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ハロゲン系ガスのプラズマに対して曝露され、高電界が印加される100°C以上の温度環境下で用いられる半導体製造装置用チャンバー部材であって、200°Cの温度での体積抵抗率が1×10+6Ω・cm以上であり、200°Cにおける比誘電率が20以上であり、ジルコニアを主結晶相として含有しており、かつ一種以上の金属の酸化物からなる添加物を含有する酸化物セラミックスを基材とすることを特徴とする、半導体製造装置用チャンバー部材。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/302 B

Fターム (12件)：

5F004AA15 , 5F004BA20 , 5F004BB23 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F004DA17 , 5F045AA08 , 5F045EB03 , 5F045EF11 , 5F045EH08 , 5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-175231 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
コンデンサ材料および多層配線基板並びに半導体素子収納用パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-017010 出願人：京セラ株式会社
真空処理装置用素材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-197205 出願人：東京エレクトロン株式会社

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