特許

J-GLOBAL ID：200903074911429682

半導体装置

発明者： 廣田 正樹
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-210336
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061366
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 ストリップ線路を構成する導体線路の幅を狭くして半導体素子の高集積化を図る。【構成】 導体線路12と接地電極13との間に半導体からなる誘電体層11が挾まれてなるストリップ線路SLと、このストリップ線路SLの誘電体層11上に形成された半導体素子18とからなる半導体装置において、このストリップ線路SLを半導体からなる支持基板14上に一体に形成した。

請求項（抜粋）：

導体線路と接地電極との間に半導体からなる誘電体層が挾まれてなるストリップ線路と、このストリップ線路の誘電体層上に形成された半導体素子とからなる半導体装置において、前記ストリップ線路は半導体からなる支持基板上に一体に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/338 ,  H01P 3/08

FI (2件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 29/80 R