特許
J-GLOBAL ID：200903074917798396
はんだバンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-230903
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074298
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 ボイドのないはんだバンプを形成する。【解決手段】 基体1上に電極5を形成する工程と,電極5を覆う表面保護膜6を形成する工程と,表面保護膜6上に電極5の一部領域上に開口7aが開設された絶縁性マスク7を形成する工程と,マスク7を用いて開口7a底面に表出する表面保護膜6を選択的に除去して開口7a底面に電極5を表出する工程と,電極5を陰極とする電気めっきにより開口7a底面に表出する電極5の表出面上にはんだ9をめっきする工程と,マスク7をエッチングして除去する工程と,開口7aの外側に延在する表面保護膜6をエッチング除去する工程と,はんだ9を溶融して電極5上にはんだバンプ9aを形成する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基体上に電極を形成する工程と,次いで,少なくとも該電極を覆う表面保護膜を形成する工程と,次いで,該表面保護膜上に,該電極の一部領域上に開口が開設された絶縁性マスクを形成する工程と,次いで,該マスクをエッチングマスクとする該表面保護膜のエッチングにより,該開口底面に表出する該表面保護膜を選択的に除去して,該開口底面に該電極を表出する工程と,次いで,該電極を陰極とする電気めっきにより,該開口底面に表出する該電極の表出面上にはんだをめっきする工程と,次いで,該マスクをエッチングして除去する工程と,次いで,該開口の外側に延在する該表面保護膜をエッチング除去する工程と,次いで,該はんだを溶融して,該電極上にはんだバンプを形成する工程とを有することを特徴とするはんだバンプの形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 Q
