特許

J-GLOBAL ID：200903074925542902

気相成長用縦型サセプター

発明者： 高村 勝之
出願人/特許権者： 徳山東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011789
公開番号（公開出願番号）：特開平10-195660
出願日： 1997年01月06日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【課題】 条件出し時と実際の気相成長時の温度差を縮小し得る気相成長用縦型サセプターを提供する。【解決手段】 黒鉛基材からなる円板状のサセプター本体2の片面に半導体ウエーハWを収容する円形の多数のウエーハ収容凹部3を設けてなる気相成長用縦型サセプターにおいて、前記ウエーハ収容回収部以外のサセプター本体の片面の表面粗さをRmax 0.5μm以下とした。

請求項（抜粋）：

黒鉛基材からなる円板状のサセプター本体の片面に半導体ウエーハを収容する円形の多数のウエーハ収容凹部を設けてなる気相成長用縦型サセプターにおいて、前記ウエーハ収容凹部以外のサセプター本体の片面の表面粗さをRmax 0.5μm以下としたことを特徴とする気相成長用縦型サセプター。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/44 H ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/205