特許

J-GLOBAL ID：200903074925852936

励起子レーザ

発明者： 野嶋 俊司
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-186148
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045904
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 励起子による光利得を利用し、量子細線中の励起子による光利得の特徴を引き出す励起子レーザを提供することを目的とする。【構成】 化合物半導体基板上に形成された化合物半導体の障壁層内に量子細線からなる井戸層を埋め込み、外部から注入される電流により量子細線内部で形成された励起子が、フォノンを放出して遷移することにより生じた最大利得スペクトラムの発光を用いる構成を特徴とする。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に形成された化合物半導体の障壁層内に量子細線からなる井戸層を埋め込み、外部から注入される電流により量子細線内部で形成された励起子が、フォノンを放出して遷移することにより生じた最大利得スペクトラムの発光を用いる構成を特徴とする励起子レーザ。