特許

J-GLOBAL ID：200903074926393102

薄膜集積回路およびその製造方法

発明者： 田邉 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035934
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252398
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】薄膜集積回路を構成するp-ch.TFTとn-ch.TFTとをそれぞれ最適化して形成する。【構成】p-ch.TFTのチャネルとなる半導体薄膜とn-ch.TFTのチャネルとなる半導体薄膜とを、たがいに異なるレーザ強度によるレーザアニールにより形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にnチャネル型薄膜トランジスタとpチャネル型薄膜トランジスタとを有する薄膜集積回路において、前記nチャネル型薄膜トランジスタのチャネルとなる半導体薄膜と前記pチャネル型薄膜トランジスタのチャネルとなる半導体薄膜とはたがいに多結晶および非結晶による組成構造や多結晶構造中の結晶粒径、結晶粒界が異なることを特徴とする薄膜集積回路。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 311 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-120467
  
• 特開昭63-005559
  
• 特開平1-162376