特許

J-GLOBAL ID：200903074927150033

半導体光スイッチ

発明者： 吉田 春彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-260022
公開番号（公開出願番号）：特開2000-089270
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 光信号の制御,分配を行う全光学的な半導体光スイッチにおいて、テラビット/秒以上の光通信システムに対応する。【解決手段】 井戸幅の等しい2つのInGaAs量子井戸層21a,21b間に該井戸層21a,21bよりも井戸幅の狭いInGaAs量子井戸層22を配置し、且つ量子井戸層21a,22間及び21b,22間にこれらよりも幅の狭いAlAs量子障壁層23を配置してなる結合3重量子井戸構造20を、GaAs基板11上に複数設けてなる半導体光スイッチであって、結合3重量子井戸構造20の一つのサブバンド間遷移のエネルギーに共鳴する光を照射し、同じサブバンド間遷移或いは他のサブバンド間遷移のエネルギーにおける光の吸収係数を変化させる。

請求項（抜粋）：

幅の等しい2つの第1の量子井戸層間に該井戸層とは幅の異なる第2の量子井戸層を配置し、且つ第1及び第2の量子井戸層間にこれらの井戸層よりも幅の狭い量子障壁層を配置してなる結合量子井戸構造を、単結晶基板上に少なくとも1つ設けてなり、前記結合量子井戸構造の伝導帯の1つのサブバンド間遷移のエネルギーに共鳴する光を照射し、同じサブバンド間遷移のエネルギーにおける光の吸収係数,屈折率,又は光学利得を変化させるか、或いは他のサブバンド間遷移のエネルギ-における光の吸収係数,屈折率,又は光学利得を変化させることを特徴とする半導体光スイッチ。

Fターム (8件)：

2K002AA02 ,  2K002AB09 ,  2K002BA01 ,  2K002CA13 ,  2K002CA22 ,  2K002DA12 ,  2K002GA10 ,  2K002HA26