化合物半導体とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-344853
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151921
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】本発明は、スクライブ法に比べて形状異常が少なく、歩留を安定させる製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板2の表面側に少なくとも2層以上の半導体層3を有する化合物半導体ウエハ1を分割するにあって、前記基板2に吸収が生じる波長のレーザー光9を用いて前記基板2の裏面側に溝10を形成し、この溝10に沿って前記ウエハ1を分割すること特徴とする。前記レーザー光9によって形成する溝10の深さを、前記基板2の厚さ、または前記基板2の裏面から前記半導体層のPN接合部6までの厚みの30%以上95%以下とした。

請求項（抜粋）：

基板の表面側に少なくとも2層以上の半導体層を有する化合物半導体ウエハを分割するにあって、前記基板に吸収が生じる波長のレーザー光を用いて前記基板の裏面側に溝を形成し、この溝に沿って前記ウエハを分割すること特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 , B23K 26/00 , H01L 33/00 , B23K101:40

FI (4件)：

B23K 26/00 D , H01L 33/00 C , B23K101:40 , H01L 21/78 B

Fターム (6件)：

4E068AE01 , 4E068DA10 , 5F041CA40 , 5F041CA75 , 5F041CA76 , 5F041CA77

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-089518
特開平2-297932
孔あけ加工方法、加工保護材および耐熱性被加工部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-259889 出願人：株式会社東芝

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