特許

J-GLOBAL ID：200903074940733897

半導体装置

発明者： 朝日 良典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324157
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160279
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】新規な構造の絶縁膜を用いて,配線温度の上昇を抑制し,配線中の温度勾配をなくし,さらに熱応答時間を短縮し,当該配線部分におけるエレクトロマイグレ-ションを防止する。【構成】半導体基板11上には,熱伝導率が0.1[W/cm・K]未満の絶縁膜12,例えばSiO2 膜,ポリイミド膜が形成されている。絶縁膜12上には,熱伝導率が0.1[W/cm・K]以上の絶縁膜13,例えばSiC膜,BeO膜,Al2 O3 膜が形成されている。絶縁膜13上には,配線14が形成されている。なお,絶縁膜13は,必要に応じて半導体基板11に接続される。これにより,当該配線に発生した熱は,低い熱抵抗を持つ当該絶縁膜を介して除去され,エレクトロマイグレ-ションが防止される。

請求項（抜粋）：

配線と,この配線上および配線下の少なくとも一方において,前記配線と接触して形成され,熱伝導率が0.1[W/cm・K]以上の絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316