特許
J-GLOBAL ID：200903074942893530
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-044175
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241977
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 裏面照射型CCDのエピタキシャルウエハ裏面の薄形化を行う際に、ケミカルエッチングによるエッチング斑の発生を防止すると共に、効果的で安定した裏面アキュームレーションを行い、品質及び歩留まりの向上を実現できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 P+ 型シリコン基板10上にP+ 型シリコン層12、P型シリコン層14を連続的にエピタキシャル成長させてPP+ /P+ ダブル・エピタキシャルウエハ16を形成し、P型シリコン層14表面に電荷転送素子22を形成した後、メカニカルエッチングによりP+ 型シリコン基板10及びP+ 型シリコン層12の一部を除去し、更に弗酸-硝酸-酢酸系のケミカルエッチングにより、P+型シリコン層12の一部を除去し、所定の厚さに残存させたP+ 型シリコン層12をP+ 型アキュームレーション層12aとする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1導電型の高濃度不純物エピタキシャル層を成長させ、続いて、前記高濃度不純物エピタキシャル層上に、第1導電型の低濃度不純物エピタキシャル層を成長させる第1の工程と、前記低濃度不純物エピタキシャル層表面に、電荷転送素子を形成する第2の工程と、前記半導体基板及び前記高濃度不純物エピタキシャル層の一部をエッチング除去して、残存する前記高濃度不純物エピタキシャル層をアキュームレーション層とする第3の工程と、前記アキュームレーション層の露出面上に、反射防止膜を形成する第4の工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/148
, H01L 21/306
H01L 27/14 B
, H01L 21/306 A
