特許

J-GLOBAL ID：200903074944848427

電気的に消去可能なプログラム可能読取り専用フラッシュ・メモリ

発明者： ルイス・ルチェン・ヒュー ,  チャンミン・ヒー ,  セイキ・オグラ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-246647
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204495
出願日： 1993年10月01日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 128メガ・ビット・メモリ・チップ用の電気的に消去可能なプログラム可能読取り専用メモリの改良形セルの提供。【構成】 電気的に消去可能なプログラム可能読取り専用メモリ・セルは、データを格納するフローティング・ゲート130と、セルをアクセスする選択ゲート120からなるデュアル・ゲート・トランジスタからなる。ゲート120、130をそれぞれ多結晶シリコン製の側壁から形成し、形成用の穴を持つ垂直多結晶シリコン製の側壁上で酸化膜を成長させて形成した、薄い垂直酸化膜メンバ231でゲート120、130を隔離する。【効果】 フローティング・ゲートと選択ゲートゲートが側壁であるため、光学的リソグラフィで得られるより小さな寸法の最終構造が得られ、それゆえ光学的リソグラフィで得られる寸法に制約されない。

請求項（抜粋）：

選択ゲートとフローティング・ゲートと該フローティング・ゲートの上面に置かれた制御ゲートとを有するデュアル・ゲート・トランジスタからなり、該選択ゲート、該フローティング・ゲート及び該制御ゲートはいずれもチャネルより上方に置かれ、かついずれもソースとドレインの間に置かれたゲートで、該選択ゲートと該フローティング・ゲートはそれぞれ多結晶シリコン製の側壁(sidewall)より形成され、かつ薄い垂直絶縁メンバで水平方向に隔離されており、該制御ゲートは第2絶縁層で該フローティング・ゲートから垂直方向に隔離されたゲートである、ことを特徴とする電気的に消去可能なプログラム可能読取り専用メモリ・セル。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 309 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-112166
  
• 特開平3-003274
  
• 特開昭62-136880