特許
J-GLOBAL ID：200903074945141424
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045233
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242585
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体発光素子において、多層構造からなる発光層の結晶性を改善すること。【解決手段】 発光層を成す多層構造の組み合わせとして、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N-Ga<SB>1-y</SB>In<SB>y</SB>N(0<x<1,0<y<1)、及びAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N-GaN<SB>1-z</SB>As<SB>z</SB>(0≦x≦1,0<z≦1)を用いる。【効果】 上記組み合わせを用いる事により、多層膜界面での相互拡散による偏析や歪みによる格子緩和を抑制する事が可能となり、発光素子の駆動電流が低減した。
請求項（抜粋）：
発光層を構成する多層構造の第1層がAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N,第2層がGa<SB>1-y</SB>In<SB>y</SB>N (0<x<1,0<y<1)から成る事を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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