特許
J-GLOBAL ID:200903074946972028

太陽電池とその製造方法および太陽電池の製造に使用する為のフォトリソグラフィ用マスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 畑 泰之 (外1名)
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP1999001130
公開番号(公開出願番号):WO2000-007249
出願日: 1999年03月09日
公開日(公表日): 2000年02月10日
要約:
【要約】太陽電池の界面汚染を防ぎ、高品質の太陽電池を製造する。基板上に透明電極膜、非晶質シリコン、金属電極を連続して積層し、透明導電膜と非晶質シリコン膜と金属電極膜と厚さが2段になったレジスト膜を使用して所要の形状にエッチングし、所定の保護膜を介して太陽電池素子間を絶縁し、その後保護膜を跨いで導電性ペーストを形成する事により太陽電池素子間を直列に接続する。
請求項(抜粋):
基板上に、透明導電膜、非晶質シリコン膜および金属電極をこの順に積層配置して形成した太陽電池素子が複数個、互いに隣接して配置されている太陽電池において、当該各太陽電池素子の端縁部、若しくは互いに隣接する当該各太陽電池素子の間に、当該太陽電池素子内に於ける絶縁を達成するか、当該互いに隣接して配置されている太陽電池素子間に於ける絶縁を達成する為の保護膜が設けられていると共に、当該互いに隣接して配置されている太陽電池素子同志は適宜の導電性部材を介して直列的に接続せしめられていることを特徴とする太陽電池。
IPC (1件):
H01L 31/04

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