特許
J-GLOBAL ID：200903074947457666
フラッシュメモリ仮想メモリシステム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260627
公開番号（公開出願番号）：特開平7-114499
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】小容量のDRAMでもフラッシュEPROMに直接実行可能形で実行コードを格納することができ、バッテリ駆動に適した不揮発性メモリシステムを提供すること。【構成】フラッシュEPROMとDRAMのアクセス制御回路に、ページ単位のページアドレス変換テーブルと仮想アドレステーブルを含むページアドレス変換回路を設け、メモリページの制御フラグにより、ページのリマップとロールイン,ロールアウトを制御する。【効果】安価でバッテリ駆動に適した不揮発性メモリシステムを提供することが可能となり、また、同時にフラッシュEPROMを使用した不揮発性ファイル装置も容易に構成できる。
請求項（抜粋）：
プロセッサと、記憶装置としてフラッシュEPROMとDRAMをもつ情報処理装置において、記憶装置のアクセス制御回路にページアドレス変換手段とページアドレス格納手段と仮想メモリアドレス変換手段とページ制御フラグをもち、フラッシュEPROMを仮想メモリ装置として仮想記憶管理をおこなうことを特徴とするフラッシュメモリ仮想メモリシステム。
IPC (2件)：
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