特許
J-GLOBAL ID：200903074949057355
半導体用処理部材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180439
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006862
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 サセプタの等の半導体用処理部材の耐蝕性の向上と平坦性の確保を図る。【構成】 所定形状を有する基材1と、この基材1に対して積層して形成された微結晶質SiC層3および粗大結晶質SiC層2を有し、微結晶質SiC層3と粗大結晶質SiC層2の間に、結晶構造の連続性の乏しい中間層4を有していることを特徴とする半導体用処理部材。
請求項（抜粋）：
所定形状を有する基材(1)と、この基材(1)に対して積層して形成された微結晶質SiC層(3)および粗大結晶質SiC層(2)を有し、微結晶質SiC層(3)と粗大結晶質SiC層(2)の間に、結晶構造の連続性の乏しい中間層(4)を有していることを特徴とする半導体用処理部材。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, C30B 25/12
, H01L 21/68
