特許
J-GLOBAL ID：200903074949627747
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306841
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164370
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体集積回路に関し、出力トランジスタの負荷素子に抵抗負荷を用いることなく、負性微分特性を有する負荷素子を用いて該出力トランジスタの動作余裕を大きくすること、及び、その動作状態での電流を極力低減し低消費電力化を図ることを目的とする。【構成】 共鳴トンネリング効果やホットエレクトロンを利用した化合物半導体デバイスから成る出力トランジスタToが負荷素子11に接続された半導体集積回路において、負荷素子11が共鳴トンネリングバリア素子RTBから成ることを含み構成し、共鳴トンネリングバリア素子RTBのベースが電源線VCCに接続され、そのエミッタが出力トランジスタToのコレクタに接続されて出力部outに延在されること、又は、そのベースがコレクタに接続されて電源線VCCに接続され、そのベースが出力トランジスタToのコレクタに接続され、そのエミッタが出力部outに延在されることを含み構成する。
請求項（抜粋）：
共鳴トンネリング効果やホットエレクトロンを利用した化合物半導体デバイスから成る出力トランジスタ(To)が負荷素子(11)に接続された半導体集積回路において、前記負荷素子(11)が共鳴トンネリングバリア素子(RTB)から成ることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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