特許

J-GLOBAL ID：200903074953034564

ドライエッチング方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240840
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304123
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 GaAs/AlGaAs積層系の選択ドライエッチングにおいて、AlFx によるパーティクル汚染を防止する。【構成】 HEMTのゲート・リセス加工において、S2 F2 /S2 Cl2 混合ガスを用いてn+ -AlGaAs層4上のn+ -GaAs層5をエッチングする。Ga,Asがフッ化物,塩化物等の形で除去されると共に、気相中に生成するSが堆積して側壁保護膜7が形成され、異方性形状を有するリセス5aが形成される。n+ -AlGaAs層4の露出面に蒸気圧の低いAlFx 層8が形成されるとエッチングが停止する。このAlFx 層8は、ウェハを約400°Cに加熱して側壁保護膜7と共に除去するか、Cl* ,Br* 等のハロゲン・ラジカルを用いてこれを蒸気圧の低いAlClx ,AlBrx 等に変化させてから除去する。

請求項（抜粋）：

基板上のアルミニウムを含む化合物半導体層の上に積層されたアルミニウムを含まない化合物半導体層を、フッ素系化合物を含むエッチング・ガスを用いて選択的にエッチングする第1の工程と、前記アルミニウムを含む化合物半導体層の露出面上に形成されたフッ化アルミニウムを、前記基板を加熱することにより除去する第2の工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-018037
  
• 特開平1-152674
  
• 特開平1-278015