特許

J-GLOBAL ID：200903074954696692

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 高橋 洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003918
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209167
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 所定の必要十分な厚さを確保することができると共に、その厚さを下地段差を形成している凸部の平面的パターン構成の粗密の違いに因らず半導体基板上のどの位置でも均一なものとすることができる半導体装置の製造方法およびそれによって製造される半導体装置を提供する。【解決手段】 ハードマスク4のような所定の高さの凸部による下地段差が形成されている半導体基板1の表面に、所定の化学的機械的研磨に対する耐研磨性がハードマスク4(凸部)の材質よりも低い材質からなる、例えば透明有機膜すらなる第1の膜5を塗布または成膜する工程と、上記の化学的機械的研磨によって第1の膜5およびハードマスク4を平坦化処理する工程と、その平坦化処理を行った後、同様の材質などからなる第2の膜6を形成する工程とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

所定の高さの凸部による下地段差が形成されている半導体基板の表面に、所定の化学的機械的研磨に対する耐研磨性が前記凸部の材質よりも低い材質からなる第1の膜を塗布または成膜する工程と、前記化学的機械的研磨によって前記第1の膜および前記凸部を平坦化処理する工程と、前記平坦化処理を行った後、前記第1の膜と同じ材質またはそれと互換性のある材質からなる第2の膜を形成する工程とを含んだことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 574

Fターム (26件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX34 ,  5F046HA07 ,  5F046PA07