特許

J-GLOBAL ID：200903074955316729

強誘電体薄膜の製造方法及び強誘電体薄膜素子

発明者： 横山 誠一 ,  松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109713
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303386
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体薄膜の結晶化にあたり、結晶化のための熱処理プロセスにおける熱処理温度の低温化と処理時間を短縮するとともに、薄膜の緻密化により薄い膜厚でもリーク電流、耐圧等に優れた強誘電体薄膜を得るために有効な強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体薄膜素子の製造方法及び強誘電体薄膜素子を提供することを目的としている。【解決手段】 基板上に、強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜を形成した後、該非晶質膜を亜酸化窒素ガス雰囲気中で熱処理して結晶化強誘電体薄膜を形成することからなる強誘電体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に、強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜を形成した後、該非晶質膜を亜酸化窒素ガス雰囲気中で熱処理して結晶化強誘電体薄膜を形成することからなる強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371