特許
J-GLOBAL ID:200903074958465997
プラズマ活性化化学蒸着プロセスにおいてプラズマのサイズおよび位置を制御するための装置および方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川口 義雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-355193
公開番号(公開出願番号):特開平6-025860
出願日: 1992年12月17日
公開日(公表日): 1994年02月01日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 ダイアモンドのようなCVD材料の製造のためのマイクロウェーブプラズマ活性化CVD蒸着技術を提供する。【構成】 マイクロウェーブ源50内に生成され且つ導波管54,56内で移動するマイクロウェーブエネルギーの相対位相に正則変化を与えるための装置であって、導波管54,56内のシャフト上の固定位置に回転可能に装着されていると共に、前記シャフトのさまざまな角位置で導波管54,56の軸に沿ってさまざまな厚さを呈するように形成されている誘電材料のブロックが位相変調器部 66,68内に設けられる。
請求項(抜粋):
マイクロウェーブ源内に生成され且つ導波管内で移動するマイクロウェーブエネルギの相対位相に正則変化を与えるための装置であって、前記導波管内のシャフト上の固定位置に回転可能に装着されていると共に、前記シャフトのさまざまな角位置で前記導波管の軸に沿ってさまざまな厚さを呈すように形成されている誘電材料のブロックを含む装置。
IPC (4件):
C23C 16/50
, C23C 16/26
, C23C 16/52
, H05H 1/46
前のページに戻る