特許

J-GLOBAL ID：200903074963426681

プラズマ処理装置

発明者： 廣瀬 英二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-219783
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043286
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ電位と処理室1の壁面の接地電位間に電位差が生じ、壁面がプラズマ中のイオン成分によるスパッタにより壁面が侵食され、二種類の高周波電力を同時に印加する場合には、単周波を印加する場合と比較してスパッタレートが上昇し壁面の損傷が大きくなる。【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置10は、二周波てら使用するプラズマ処理装置において、第1の高周波ライン16には第2の高周波電源15からの高周波電圧を減衰させる第1のフィルタ回路20を設けると共に第2の高周波ライン18には第1の高周波電源14からの高周波電圧を減衰させる第2のフィルタ回路21を設け、第1のフィルタ回路20に回路定数を変更する手段として可変コンデンサ20Aを設けものである。

請求項（抜粋）：

処理容器内で互いに平行に配置された第1、第2の電極と、これらの両電極に第1、第2の電力供給ラインを介して第1、第2の高周波電力を印加する第1、第2の高周波電源とを備え、第1、第2の高周波電力を第1、第2の電極に印加してプラズマを発生させていずれかの電極に配置された被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、第1の電力供給ラインには第2の高周波電圧を減衰する第1のフィルタ回路を設けると共に第2の電力供給ラインには第1の高周波電圧を減衰する第2のフィルタ回路を設け、第1、第2のフィルタ回路の少なくとも一方に回路定数を変更する手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

B01J 19/08 H ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 R ,  H01L 21/302 C

Fターム (17件)：

4G075AA24 ,  4G075BC02 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045EH01 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマプロセス用装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-319019   出願人：大見忠弘
• 特開平3-179735