III族窒化物系化合物半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-038279
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230498
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】正電極の剥離等による発光不均一が生じず、しきい値電流が安定して低く、長寿命で、かつ、低コストの半導体レーザを実現する。【解決手段】窒化アルミニウム(AlN) より形成されたサブマウント10の上面(表側)には、リード電極14、16が、それぞれAu/Moを真空蒸着することにより成膜されている。また、サブマウント10の下面(裏側)には、ニッケル(Ni)より成る金属層15が形成されている。正電極106とリード電極14とを直接接続するインジウム(In)より成る半田材(第1導電性材料)11等によって、半導体レーザ100はサブマウント10に直接接着されている。このサブマウント10の裏側(金属層15側)は、銅(Cu)製のヒートシンク19の上面と融点温度T2が約117°CのIn/Snより成る半田材(第2導電性材料)12により直接接着されている。

請求項（抜粋）：

基板の上に III族窒化物系化合物半導体から成る複数の半導体層を積層することにより形成され、サブマウントに対してジャンクションダウンでボンディングされるフリップチップ型の半導体レーザにおいて、メサ形状、リッジ形状等の平頂な島型の共振器と、前記共振器の平頂部に形成された、最小幅又は最小径が10μm未満の正電極とを有し、前記サブマウント又は前記サブマウントの表面上に成膜されたリード電極と、前記正電極とは、少なくともインジウム(In)を含んだ第1導電性材料により互いに直接接着されていることを特徴とする III族窒化物系化合物半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/323 , H01L 33/00 , H01S 5/022

FI (3件)：

H01S 5/323 , H01L 33/00 C , H01S 5/022

Fターム (23件)：

5F041AA05 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA14 , 5F041CA40 , 5F041CA82 , 5F041CB04 , 5F041CB11 , 5F041DA03 , 5F041DA09 , 5F073AA02 , 5F073AA04 , 5F073AA13 , 5F073AB17 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB22 , 5F073CB23 , 5F073EA23 , 5F073EA29 , 5F073FA14 , 5F073FA15 , 5F073FA22

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