特許
J-GLOBAL ID：200903074967329907
CVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
門間 正一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266783
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111619
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハに対する化学反応終了後の原料ガスの逆流をなくし、併せて反応生成物及び反応副生成物のフレークの発生を抑制する。【解決手段】 反応室10内に供給される原料ガスの熱分解または気相反応等の化学反応により半導体ウェーハ上に薄膜を形成CVD装置において、反応室10内に配設した半導体ウェーハ30載置用ウェーハ支持台20より下流に、反応処理後の原料ガスを層流にして反応室10外へ導く層流用ガス通路70を、ウェーハ支持台20を中心にして同心に配設した筒状層流部材60により形成し、この層流用ガス通路70に沿いガスを反応室外へ層流として流動させる。
請求項（抜粋）：
反応室内に供給される原料ガスの熱分解または気相反応等の化学反応により半導体ウェーハ上に薄膜を形成するCVD装置であって、前記反応室内に配設した半導体ウェーハ載置用ウェーハ支持台より下流に、反応処理後の原料ガスを層流にして反応室外へ導く層流用ガス通路を形成したことを特徴とするCVD装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
, C23C 16/44 E
