特許

J-GLOBAL ID：200903074968218432

青色半導体発光素子

発明者： 大場 康夫 ,  泉谷 敏英 ,  波多野 吾紅
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-099484
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247761
出願日： 1989年04月28日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体素子を形成するための半導体材料に関し、大きいバンドギャップを有し、pn制御が可能でしかも安定した結晶が得る。【解決手段】 短波長発光素子として用いる化合物半導体素子において、n型GaP基板41にSiドープのn型BPバッファ層42が形成され、この上にSiドープのn型Ga0.5 Al0.5 N/BP超格子層(活性層)43、アンドープのGaAlN超格子層44、Mgドープのp型Ga0.5 Al0.5 N/BP超格子層45が順次形成され、Ga0.5 Al0.5 N層はウルツ型結晶構造を有している。

請求項（抜粋）：

ウルツ型の結晶構造を有するGax Aly B1-x-y Nz P1-z (0≦x,y,z≦1)混晶層を用いて構成されたことを特徴とする青色半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-228776
  
• 特開昭63-053914
  
• 特開昭49-019782
  
• 特開平2-275682