特許
J-GLOBAL ID：200903074968232354

ゲルマニウムまたはテルル含有量の少ないカルコゲナイドデバイス及びカルコゲナイド材料

発明者：
コスタイレヴ、 セルゲイ エイ.

コスタイレヴ、 セルゲイ エイ. について

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ロウレイ、 タイラー

ロウレイ、 タイラー について

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ウィッカー、 ガイ

ウィッカー、 ガイ について

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ズバティジ、 ウラジミール

ズバティジ、 ウラジミール について


出願人/特許権者：
オヴォニクス,インコーポレイテッド

オヴォニクス,インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  原 裕子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-545607
公開番号（公開出願番号）：特表2009-524210
出願日： 2006年11月16日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
広範囲のリセット状態の抵抗に対して、高速動作すなわち、短いリセットパルス時間を示すカルコゲナイド材料及びカルコゲナイドメモリデバイス。 本発明のカルコゲナイド材料を含む電気デバイスは、リセット状態とセット状態の間の抵抗比が高い場合に、リセット状態からの迅速な変化ができるようにする。本発明のデバイスは、デバイスの高速動作スピードを保ちつつ、メモリ状態の高い抵抗比及び改良された読み出し性を提供する。カルコゲナイド材料は、Ge、Sb及びTeを含み、Ge及び/またはTeの含有量が一般的に用いられるGe2Sb2Te5カルコゲナイド組成に比較して少ない。本発明の一実施形態においては、Ge、Sb、Teの含有量は、Geが11〜22原子%、Sbが22〜65原子%、Teが28〜55原子%である。好ましい実施形態においては、Ge、Sb、Teの含有量は、Geが15〜18原子%、Sbが32〜35原子%、そして、Teが48〜51原子%である。
請求項（抜粋）：
Geを11〜21原子%、及び、Sbを22〜65原子%含むことを特徴とする前記カルコゲナイド材料。
IPC (2件)：
H01L 45/00 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L45/00 A ,  H01L27/10 448
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA21
引用特許：
出願人引用 (22件)
  • 米国特許No.3,271,591
  • 米国特許No.6,714,954
  • 米国特許No.6.087,674
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審査官引用 (5件)
  • 特表平6-509909
  • 可逆性光情報媒体
    公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-502595   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
  • 特許第2867701号
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