III族窒化物半導体とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：萩原康司 , 金本哲男 , 亀谷美明 , 和田憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-221774
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054888
出願日： 2007年08月28日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。【解決手段】サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/01 , C30B 29/38 , C30B 25/18 , H01L 33/00

FI (6件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/01 , C30B29/38 D , C30B25/18 , H01L33/00 C

Fターム (48件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077FJ03 , 4G077TA04 , 4G077TB03 , 4G077TC13 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041AA42 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F045AA02 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF14 , 5F045AF19 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA52 , 5F045DA63 , 5F045HA04

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